Semiconductor Module

Para Análise Detalhada de Dispositivos Semicondutores ao Nível Fundamental

Semiconductor Module

Operação de um transistor onde uma tensão aplicada à porta liga o dispositivo e então determina a corrente de saturação do dreno.

MOSFETs, MESFETs e Diodos Schottky

O Semiconductor Module permite a análise detalhada da operação de dispositivos semicondutores sob a perspectiva da física fundamental. O módulo baseia-se nas equações de deriva-difusão (drift-diffusion), usando modelos de transporte isotérmico ou não isotérmico. É útil para simular uma gama de dispositivos práticos – inclusive transistores bipolares, de efeito de campo semicondutor-metal (MESFETs), transistores de efeito de campo metal-óxido-semicondutor(MOSFETs), diodos de Schottky, tiristores e juntas P-N.

Os efeitos multifísicos geralmente exercem influências importantes sobre o desempenho de dispositivos semicondutores. A fabricação de semicondutores frequentemente ocorre a temperaturas altas e, por conseguinte, é possível que tensões sejam introduzidas nos materiais. Além disso, dispositivos de alta potência podem gerar uma quantidade significativa de calor. O Semiconductor Module permite a modelagem no nível do dispositivo semicondutor na plataforma COMSOL, possibilitando criar facilmente simulações personalizadas envolvendo vários efeitos físicos. Além disso, o software é transparente, visto que é sempre possível manipular as equações dos modelos, dando liberdade total na definição de fenômenos que não estão predefinidos no módulo.

Breakdown in a MOSFET

DC Characteristics of a MOS Transistor (MOSFET)

P-N Junction Benchmark Model

P-N Junction Diode with External Circuit

Bipolar Transistor

Caughey-Thomas Mobility in a Semiconductor

Lombardi Surface Mobility in a Semiconductor

Heterojunction Benchmark